YJS2301A
RoHS
YJS2301A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V)
● 100% ▽VDS Tested
-20V
-3.7A
<51mohm
<67mohm
<91mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Low RDS(ON)
● Low Gate Charge
SOT-23-6L
Applications
● Video monitor
● Power management
■ Absolute...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 15 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJS2301AF2
Microsoft Word - YJS2301A Rev 3.0
Дата модификации: 24.09.2020
Размер: 1.29 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.