YJQD30P02A
RoHS
YJQD30P02A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
DFN3.3X3.3
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= -4.5V)
● RDS(ON)( at VGS= -2.5V)
● RDS(ON)( at VGS= -1.8V)
-20V
-30A
<19mohm
<22mohm
<30mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Battery protection
● L...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQD30P02AF1
Microsoft Word - YJQD30P02A
Дата модификации: 13.11.2020
Размер: 1.21 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.