YJQ62G06AF1
RoHS
YJQ62G06A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID (Silicon limited)
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
60V
62A
<7.5 mohm
<10 mohm
General Description
● Split Gate Trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQ62G06AF1
Microsoft Word - YJQ62G06A Rev1.1
Дата модификации: 09.06.2021
Размер: 1007.5 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.