YJQ4666BF1
RoHS
YJQ4666B
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V)
-20V
-7A
<36.5mohm
<46.5mohm
<60.5mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Battery protection
● Power manageme...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQ4666BF1
Microsoft Word - YJQ4666B
Дата модификации: 18.11.2020
Размер: 436.4 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.