YJQ4666BF1

RoHS YJQ4666B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) -20V -7A <36.5mohm <46.5mohm <60.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Power manageme...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.