YJG25GP10A

SUNCOYJ
RoHS YJG25GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -25A ＜56 mohm ＜62 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG25GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -25A ＜56 mohm ＜62 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -5 Ta=25℃ -3 Ta=100℃ Drain Current ID -25 Tc=100℃ -16 Pulsed Drain Current A Avalanche energy A Tc=25℃ B IDM -100 A EAS 162 mJ 2.5 Ta=25℃ 1 Ta=100℃ Total Power Dissipation PD W Tc=25℃ 88 Tc=100℃ 35.2 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient Symbol D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.15 1.42 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG25GP10A F1 YJG25GP10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E133 Rev.3.6,17-Oct-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG25GP10A 

Дата модификации: 18.10.2022

Размер: 737 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 февраля 2023
    новость

    MOSFET азиатских производителей

    Полевой транзистор или MOSFET – неотъемлемый компонент в любом электронном устройстве. Существует огромное количество полевых транзисторов в различных конфигурациях, предназначенных для самых разнообразных задач. При этом с известной степенью... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)