YJG120G10BR

SUNCOYJ
RoHS YJG120G10BR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 120A ＜4.2mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabili...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG120G10BR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 120A ＜4.2mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● PD charger ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 120 TC=25℃ Drain Current A ID 76 Tc=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 480 A EAS 552 mJ 108 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 43 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 45 55 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.95 1.16 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG120G10BR F1 G120G10BR 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E176 Rev.1.1,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG120G10BR 

Microsoft Word - YJG120G10BR Rev1.1

Дата модификации: 06.04.2023

Размер: 381.4 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 апреля 2023
    новость

    Новые MOSFET SUNCOYJ в корпусе DFN5060 для высокочастотных применений

    Во многих областях промышленной и бытовой электроники растет спрос на компоненты с высокой плотностью мощности. Компания SUNCOYJ выпустила серию новых транзисторов MOSFET (таблица 1) в корпусе DFN5060 с усовершенствованной технологией медной... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)