YJD65G10B

RoHS YJD65G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 65A <9.5mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJN60G10B (YJ)
 
TO-247-3 в линейках 20 шт
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMSL1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMSH1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJG110G10B (YJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD65G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 65A <9.5mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous-rectification ● Isolated DC/DC convertor ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 11 TA=25℃ 7 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 65 TC=100℃ 41 Pulsed Drain Current A IDM 260 A Avalanche energy B EAS 182 mJ 2.2 TA=25℃ 0.9 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W Tc=25℃ 96 Tc=100℃ 38.4 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 45 55 1.0 1.3 RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD65G10B F1 YJD65G10B 2500 / 25000 13”Reel 1/6 S-E144 Rev.1.1,20-Oct-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD65G10B 

Дата модификации: 21.10.2022

Размер: 791.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.