YJD2120240B7GH
RoHS
YJD2120240B7GH
COMPLIANT
Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)
VDS
1200V
ID(25°C)
13.5A
RDS(on)
240mΩ
Features
● High speed switching
● Essentially no switching losses
● Reduction of heat sink requirements
● Maximum working temperature at 175 °C
● High blocking voltage
● Fast Intrinsic diode with low recovery current
● High-frequency operation
● Halogen free, R...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2637
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2637 | |
---|---|---|
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJD2120240B7GH
YJD2120240B7GH Keywords:
Дата модификации: 06.10.2023
Размер: 996.3 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.