YJD2120160NCFG1

SUNCOYJ
RoHS YJD2120160NCFG1 COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 21A RDS(on) 160mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, Ro...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD2120160NCFG1 COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 21A RDS(on) 160mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO247-4L ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS NOTE D2120160NCFG1 Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 1200 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 21 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 15 VGS=20V, Tc=100℃ 40 Pulse width tp limited by Tj,max 157 Tc=25°C , Tj = 175℃ 68 Tc=110°C, Tj = 175℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Fig.18 Continuous drain current @ Tc=100°C Pulsed drain current ID(pulsed) A PTOT W Power Dissipation Power Dissipation Operating junction and Storage temperature range Note1、2 Tj ,Tstg °C -55 to +175 Soldering temperature TL °C 260 1.6mm (0.063’’) from case for 10s Mounting torque TM Nm 0.6 M3 screw Maximum of mounting process: 3 Fig.23 Fig.17 1/9 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD2120160NCFG1 

MUR1060规格书

Дата модификации: 24.03.2023

Размер: 2.45 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    20 апреля 2023
    новость

    1200 В карбид-кремниевые MOSFET от SUNCOYJ – высокая стабильность параметров и скорость переключения

    В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид–кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)