YJD2120120BGH
RoHS
YJD2120120BGH
COMPLIANT
Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)
VDS
1200V
ID(25°C)
24A
RDS(on)
120mΩ
Features
● High speed switching
● Essentially no switching losses
● Reduction of heat sink requirements
● Maximum working temperature at 175 °C
● High blocking voltage
● Fast Intrinsic diode with low recovery current
● High-frequency operation
● Halogen free, RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO263 | |
---|---|---|
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJD2120120BGH
YJD2120120BGH Keywords:
Дата модификации: 24.05.2024
Размер: 992.6 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.