YJD2120120B7GH

SUNCOYJ
RoHS YJD2120120B7GH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 24A RDS(on) 120mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoH...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO2637

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD2120120B7GH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 24A RDS(on) 120mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO263-7L ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS NOTE D2120120B7GH Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 1200 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values (AC f > 1Hz, duty cycle < 1%) Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 24 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 16.6 VGS=20V, Tc=110℃ ID, pulse A 63 Limited by tpw Avalanche energy, Single Pulse EAS mJ 625 VDD=100V, ID=7A Power Dissipation PTOT W 161 Tc=25°C , Tj = 175℃ Tj ,Tstg °C -55 to +175 Soldering temperature TL °C 260 1.6mm (0.063’’) from case for 10s Mounting torque TM Nm 0.6 M3 screw Maximum of mounting process: 3 Continuous drain current @ Tc=25°C Continuous drain current @ Tc=110°C Pulse Drain Current Operating junction and Storage temperature range Note1 Fig.14 Fig.15 Fig.13 1/9 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD2120120B7GH 

YJD2120120B7GH Keywords:

Дата модификации: 06.10.2023

Размер: 1001 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 июня 2024
    новость

    Решения для зарядных станций (материалы вебинара)

    Популярность электротранспорта неуклонно растет. Следуя этому тренду, многие компании активно разрабатывают свои решения в этой области индустрии, в том числе для зарядных станций. По оценкам участников отрасли, к 2030 году в России в эксплуатацию... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.