YJD112020NGG2

SUNCOYJ
Диод выпрямительный Single на напряжение до 1200 В, ток до 33 А, с падением напряжения 1.34 В, ёмкостью перехода 1552 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Silicon Carbide Schottky Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC020120NP8 (WAYON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —
P= WSRSIC030120NP8 (WAYON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —
P= G5S12030BM (GPT)
 
TO2473 в линейках 100 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD112020NGG2 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM 1200V IF（135°C） 33A QC 114nC Features ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequency operation ● Reduction of EMI Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-247AC ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT Device marking code VALUE D112020NGG2 Reverse voltage (repetitive peak) @ Tj=25°C VRRM V 1200 Reverse voltage (Surge Peak) @ Tj=25°C VRSM V 1200 Reverse voltage (DC) @ Tj=25°C VDC V 1200 70 Continuous forward current @ Tc=25°C Continuous forward current @ Tc=135°C IF A Continuous forward current @ Tc=157°C 33 20 Non-repetitive peak forward surge current @ Tc=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave IFSM A PTOT W Power Dissipation@ Tc=25°C 160 319 Power Dissipation@ Tc=110°C 138 i2t Value@ Tc=25°C ,tp=10ms Operating junction and Storage temperature range ∫i2dt A2 S 128 Tj ,Tstg °C -55 to +175 1/5 S-SIC010 Rev.1.0, 30-Sep-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD112020NGG2 

Microsoft Word - YJD112020NGG2

Дата модификации: 30.09.2021

Размер: 470.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)