Вход / Регистрация

YJD106508DG1

SUNCO
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 13 А, с падением напряжения 1.43 В, ёмкостью перехода 331 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Silicon Carbide Schottky Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= G3S06508C (GPT)
 
TO252 в ленте 100 шт — — —
P= WSRSIC010065NPO (WAYON)
 
— 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD106508DG1 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM 650V IF（135°C） 13A QC 17.9nC Features ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequency operation ● Reduction of EMI Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-252 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT Device marking code VALUE D106508DG1 Reverse voltage (repetitive peak) @ Tj=25°C VRRM V 650 Reverse voltage (Surge Peak) @ Tj=25°C VRSM V 650 Reverse voltage (DC) @ Tj=25°C VDC V 650 27 Continuous forward current @ Tc=25°C Continuous forward current @ Tc=135°C IF A Continuous forward current @ Tc=157°C 13 8 Non-repetitive peak forward surge current @ Tc=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave IFSM A PTOT W Power Dissipation@ Tc=25°C 45 120 Power Dissipation@ Tc=110°C 52 i2t Value@ Tc=25°C ,tp=10ms Operating junction and Storage temperature range ∫i2dt A2 S 10 Tj ,Tstg °C -55 to +175 1/5 S-SIC015 Rev.1.1, 28-Dec-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD106508DG1 

Microsoft Word - YJD106508DG1

Дата модификации: 28.12.2021

Размер: 353 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)