SS515B

SUNCO
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 150 В, ток до 5 А, с падением напряжения 900 мВ, ёмкостью перехода 85 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- PU6DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS52B THRU SS520B COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT SS52B SS53B SS54B SS55B SS56B SS58B SS510B SS515B SS520B PARAMETER SS52B SS53B SS54B SS55B SS56B SS58B SS510B SS515B SS520B Device marking code VRRM V IO A 5.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 100 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, Ta (FIG.1) 20 30 40 50 60 -55~+125 80 100 150 200 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM IRRM mA TEST SS52B SS53B SS54B SS55B SS56B SS58B SS510B SS515B SS520B CONDITIONS IFM=5.0A 0.60 0.70 0.85 0.90 Ta=25℃ 0.5 0.1 Ta=100℃ 10 5 1/4 S-S139 Rev. 2.3, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS510B 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 22.08.2018

Размер: 887.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)