SS36BQ

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 3 А, с падением напряжения 600 мВ, ёмкостью перехода 134 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 38

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SM260B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS36 (YJ)
 

SS36 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SK36 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS56 (JSCJ)
 
 
P= SS36B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon
P= SS56 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS56B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon
P= SS56 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 100 шт
P= SK26 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SK36 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
P= SM360C (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
P= SL26-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= SK56 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS56CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SS36CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SS56-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SS26BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SL26-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS36-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SM560C (LRC)
 
DO-214AB SMC в ленте 3000 шт
 
P= SM360B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SL36-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS36BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SL36-C (ANBON)
 
DO214AB
 
P= SS26 (YJ)
 

SS26 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS26-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SL56-C (ANBON)
 
DO214AB
 
P= SSL26A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SM260A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SS26 (JSCJ)
 

SS26 (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS26G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SK36 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SM260BF (LRC)
 
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon
P= SS36-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS26 T/R (DC)
 

SS26 T/R (ONS-FAIR)
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт
P= SK26AR2 (TSC)
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM160AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon
A- SSL56B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS32BQ THRU SS320BQ COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guard ring for overvoltage protection ● Low power losses ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, automotive and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS 32BQ SS 33BQ SS 34BQ SS 35BQ SS 36BQ SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B 20 30 40 VRRM V IO A 3.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 70 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature TJ ℃ Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) 50 60 -55~+125 SS SS SS SS 38BQ 310BQ 315BQ 320BQ 80 100 150 200 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM IRRM mA Typical junction capacitance CJ pF TEST CONDITIONS SS SS SS 32BQ 33BQ 34BQ IFM=3.0A 0.50 SS 35BQ SS 36BQ 0.70 SS SS SS SS 38BQ 310BQ 315BQ 320BQ 0.85 0.90 Ta=25℃ 0.50 0.10 Ta=100℃ 10 5 VR=4V,f=1MHz 148 134 96 62 1/4 S-S2900 Rev.1.0,12-Mar-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS35BQ 

Microsoft Word - SS32BQ THRU SS320BQ

Дата модификации: 16.03.2023

Размер: 223.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.