RB521S-30Q

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 30 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 10 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Small Singal Schottky Barrier Diodes
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- RB520S-40 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
A- RB521S-30 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, Silicon
A- RB521S-30L2 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 10000 шт
 
 — — —
A- RB520S-40 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
A- RB521S-30 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
A- BAS40X (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
A- RB520S-40Q (YJ)
 
SOD-523 — — Small Singal Schottky Barrier Diodes
A- RB521S-40 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
A- LRB520S-40T1G (LRC)
 
SOD-523
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
A- LRB521S-30T1G (LRC)
 
SOD-523 20 шт
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
A- LBAT54XV2T1G (LRC)
 
SOD-523 1 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS RB521S-30Q COMPLIANT Small Singal Schottky Barrier Diodes Features ● Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating and halogen free ● Moisture Sensitivity Level 1 ● VR 30V ● IFAV 200mA ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Low Forward Voltage Drop Mechanical Data ● Case: SOD523 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ● Marking: C ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL CONDITIONS UNIT VALUE Reverse Voltage VR V Peak Forward Surge Current IFSM A Average Forward Current IFAV mA 200 Power Dissipation Ptot mW 150 Thermal Resistance Junction to Ambient RthJA K/W 635 Tj ℃ 125 Tstg ℃ -55 to +125 Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range 30 8.3ms single half sine-wave 1.0 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT CONDITIONS Breakdown Voltage VR V IR=500uA Forward Voltage VF V IF=200mA Reverse Leakage Current IR uA VR=10V Junction Capacitance Cj pF F=1.0MHz, VR=1V MIN MAX 30 0.5 30 10 20 1/4 S-S2632 Rev.1.0,29-Oct-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на RB521S-30Q 

Microsoft Word - RB521S-30Q-SOD523-车用规格书

Дата модификации: 30.10.2019

Размер: 215.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)