MURS460

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 4 А, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 50 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- GR5J (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS8J (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS8KQ (YJ)
 
DO214AB
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MURS460 COMPLIANT Surface Mount Ultrafast Rectifier Diode Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT MURS460 MURS460 Device marking code Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 420 Maximum DC blocking Voltage VDC V 600 4.0 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ IO A IFSM A I2t A2s 41.5 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 100 200 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MURS460 Maximum instantaneous forward voltage VF V IFM=4.0A 1.25 Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 50 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Tj =25℃ 5 IR μA Tj =125℃ 50 Typical junction capacitance Cj pF Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 50 1/5 S-S1165 Rev.1.7,20-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MURS460 

Microsoft Word - MURS460

Дата модификации: 20.09.2022

Размер: 177.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.