MUR60120P

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 60 А, с падением напряжения 3.3 В, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MUR60120P COMPLIANT Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes Features ● High frequency operation ● High surge forward current capability ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-247AD-2L Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL MUR60120P UNIT MUR60120P Device marking code VRRM V 1200 Average Rectified Output Current @60Hz half sinewave, R-load, Tc(FIG.1) Io A 60 Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 350 I2t A s. 510 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ 2 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM=60.0A uA VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Reverse Recovery Time IRRM1 IRRM2 Trr ns MUR60120P TEST CONDITIONS IF=0.5A IRR=0.25A 3.3 15 500 IRM=1A 85 ■Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Thermal Resistance Between junction and case SYMBOL UNIT MUR60120P RθJ-C ℃/W 0.4 1/4 S-B993 Rev.1.0,29-Aug-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MUR60120P 

Microsoft Word - MUR60120P.doc

Дата модификации: 10.09.2018

Размер: 195.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.