MBR30100FCT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 30 А, с падением напряжения 800 мВ, ёмкостью перехода 600 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус ITO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SBD30100TCTB (JSCJ)
 
TO2203L
 
A- MBRU40100FCT (YJ)
 
ITO220AB 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR3080FCT THRU MBR30200FCT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● Low forward voltage drop ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: ITO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT MBR3080FCT MBR30100FCT MBR30120FCT MBR30150FCT MBR30200FCT MBR3080FCT MBR30100FCT MBR30120FCT MBR30150FCT MBR30200FCT Device marking code VRRM V IO A 30 IFSM A 200 I2t As 167 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃, 80 100 2 120 150 200 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS MBR3080FCT MBR30100FCT MBR30120FCT MBR30150FCT MBR30200FCT IFM=15.0A 0.85 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=100℃ 0.9 0.95 0.1 20 1/3 S-B644 Rev.2.1,24-May-17 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR30100FCT 

Author:

Дата модификации: 03.08.2017

Размер: 150.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.