GBU808A

SUNCO
RoHS GBU8005A THRU GBU810A COMPLIANT Bridge Rectifier Features ● UL recognition, file #E230084 ● Ideal for printed circuit boards ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for monitor, TV, printer, power supply, switching mode power supply, adapter, audio equipment, and hom...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус GBU
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 800V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= GBU608 (YJ)
 
GBU в линейках 1000 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon
P= GBU8K (SHIKUES)
 

GBU8K (ONS-FAIR) 		GBU
 
 — — —
P= GBU808 (JSCJ)
 

GBU808 (DIODES) 		GBU 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GBU8005A THRU GBU810A COMPLIANT Bridge Rectifier Features ● UL recognition, file #E230084 ● Ideal for printed circuit boards ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for monitor, TV, printer, power supply, switching mode power supply, adapter, audio equipment, and home appliances applications. Mechanical Data ● Package: GBU Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ~ ~ ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT GBU8005A GBU801A GBU802A GBU804A GBU806A GBU808A GBU810A GBU8005A GBU801A GBU802A GBU804A GBU806A GBU808A GBU810A Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V IO A With heatsink Average rectified output current Tc =108℃ @60Hz sine wave, R-load Without heatsink Ta =25℃ 50 100 200 400 600 800 1000 8.0 3.2 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ IFSM A I2t AS Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Dielectric strength @ terminals to case, AC 1 minute Vdis KV 2.5 Mounting torque @recommend torque：5kg·cm Tor kg·cm 8 Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode 200 2 166 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST GBU8005A GBU801A GBU802A GBU804A GBU806A GBU808A GBU810A CONDITIONS VF V IFM=4.0A IRRM μA VRM=VRRM 1.00 5 1/4 S-B169 Rev. 2.2, 28-Nov-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GBU8005A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 28.11.2018

Размер: 397.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4936 (YJ)