ES2B

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 2 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 31 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ES2BBG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= ES2B (JSCJ)
 

ES2B (ONS-FAIR)
 
A- SS210 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- SS310B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon
A- ES2B SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 6000 шт
A- SK210 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
A- SS210Q (YJ)
 
DO214AA
 
A- SS310BQ (YJ)
 
DO214AA
 
A- SSL210 (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES2A THRU ES2K COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES2A ES2B ES2C ES2D ES2F ES2G ES2H ES2J ES2K ES2A ES2B ES2C ES2D ES2F ES2G ES2H ES2J ES2K 50 100 150 200 300 400 500 600 800 ES2G ES2H ES2J ES2K VRRM V IO A 2.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS ES2A ES2B ES2C ES2D ES2F Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM Ta =25℃ 5.0 IRRM μA Ta =125℃ 100 0.95 1.3 1.7 1.85 1/5 S-S025 Rev. 2.6, 22-Oct-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES2A 

Microsoft Word - ES2A THRU ES2K

Дата модификации: 22.10.2019

Размер: 218.2 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.