ES1A

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 50 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 18 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= GR2BA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM)
P= EFM101 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — —
P= ES1D-A (ANBON)
 
DO214AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= ES1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — —
P= ES2BA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon
P= ES2B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — —
P= ES2A SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
 — —
A- SSL26A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 —
A- SS16A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS26A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SK16 (DC)
 
DO214AC в ленте 3000 шт — — — — — —
A- SS15 (DC)
 

SS15 (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 7500 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS16 (DC)
 

SS16 (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 7500 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS26 (JSCJ)
 

SS26 (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — —
A- ES1AS (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — —
A- ES1AW (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon
A- ES2AA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon
A- HS1A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- HS2AA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM)
A- SSL16A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 —
A- UG1A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — —
A- UG2AA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
A- US1A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM)
A- SS15A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS15AQ (YJ)
 
—
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS16AQ (YJ)
 
DO214AC
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS25A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES1A THRU ES1K COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K 50 100 150 200 300 400 500 600 800 VRRM V Average rectified output current @ 60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST ES1A ES1B ES1C ES1D CONDITIONS ES1F Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Ta=25℃ 5 IRRM μA Ta=125℃ 100 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM 0.95 ES1G 1.3 ES1H ES1J ES1K 1.7 1.85 1/5 S-S751 Rev. 2.5,08-Mar-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES1A 

Microsoft Word - ES1A THRU ES1K.doc

Дата модификации: 08.03.2019

Размер: 181.2 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    21 сентября 2023
    новость

    Зарядная станция мощностью 3…10 кВт для электромобилей

    С ростом популярности электромобилей возникает потребность в надежной, удобной и эффективной инфраструктуре для их подзарядки. Электрические зарядные устройства (ЗУ) по мощности делятся на четыре уровня (I – 3 кВт, II – 10 кВт, III – 50…75 кВт, IV... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)