E1GF

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.3 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO221AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- US1GF (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
A- H2GF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon
A- E2GF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon
A- F1GFS (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
A- RS2GF (JSCJ)
 
DO221AC
 
A- ES1GF (JSCJ)
 
DO221AC
 
A- ES2GF (JSCJ)
 
DO221AC
 
A- RS1GF (JSCJ)
 
DO221AC
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS E1AF THRU E1KF COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: SMAF Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code E1AF E1BF E1CF E1DF E1FF E1GF E1HF E1JF E1KF E1AF E1BF E1CF E1DF E1FF E1GF E1HF E1JF E1KF 50 100 150 200 300 400 500 600 800 E1GF E1HF E1JF E1KF VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum reverse recovery time Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS E1AF E1BF E1CF E1DF E1FF VF V IFM=1.0A trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Ta =25℃ 5.0 IRRM μA Ta =125℃ 100 1.0 1.3 1.7 1.85 1/5 S-S018 Rev. 2.3, 10-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на E1AF 

Microsoft Word - E1AF THRU E1KF

Дата модификации: 13.12.2019

Размер: 215.2 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.