DGS80N120ATL1BQ
DGS80N120ATL1BQ
RoHS
COMPLIANT
IGBT Discrete
VCE
1200
V
IC
80
A
VCE(SAT) IC=80A
1.75
V
PD
735
W
\
Circuit
Applications
PTC heater
Features
High breakdown voltage to 1200V for improved
reliability
Maximum junction temperature 150℃
Positive temperature coefficient
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VCE
1200
V
DC Col...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: IGBT транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Напряжение К-Э максимальное | ||
Ток коллектора максимальный при 25°C | ||
Напряжение насыщения К-Э | ||
Время выключения | ||
Время восстановления диода | ||
Максимальная мощность | ||
Заряд затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 18
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на DGS80N120ATL1BQ
Microsoft Word - MDS60E-SMSC.doc
Дата модификации: 04.07.2023
Размер: 662.8 Кб
8 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.