1N4148WTQ

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 150 мА, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 4 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Small-Signal Fast Switching Diodes
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAS516 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAT46X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт
A- 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR)
SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAS516Q (YJ)
 
SOD-523 Small-Signal Fast Switching Diodes
A- LBAS516T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
RoHS 1N4148WTQ COMPLIANT Small-Signal Fast Switching Diodes Features ● Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating and halogen free ● Moisture Sensitivity Level 1 ● VR 100V ● IFAV 150mA ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Extreme fast switches ● Automotive Mechanical Data ● Case: SOD523 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ● Marking: T4 ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL Repetitive Peak Reverse Voltage CONDITIONS UNIT VALUE VRRM V Reverse Voltage VR V IR=100uA 100 Peak Forward Surge Current IFSM A Pulse width=1 us Pulse width=1 s 2.5 1 Average Forward Current IFAV mA 150 Power Dissipation Ptot(1) mW 150 Thermal Resistance Junction to Ambient RthJA(1) °C/W 833 Tj ℃ -55 to +150 Tstg ℃ -55 to +150 Junction Temperature Storage Temperature Range 100 (1) Device mounted on an FR4 PCB (1.0 x 1.0 x 0.06 inch), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Breakdown Voltage Forward Voltage SYMBOL UNIT VR V VF CONDITIONS IR=100uA V MIN MAX 100 IF=5mA 0.715 IF=10mA 0.855 IF=100mA 1.00 IF=150mA 1.25 IR1 nA VR=20V 25 IR2 uA VR=75V 1 Capacitance C pF VR=0V, f=1MHz 4 Reverse Recovery Time Trr ns IF=IR=10mA, Irr=0.1*IR, RL=100Ω 4 Reverse Leakage Current 1/4 S-S1715 Rev.2.7,30-Dec-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N4148WTQ 

Microsoft Word - 1N4148WTQ

Дата модификации: 30.12.2022

Размер: 206.2 Кб

4 стр.

RoHS 1N4148WTQ COMPLIANT Small-Signal Fast Switching Diodes Features ● Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating and halogen free ● Moisture Sensitivity Level 1 ● VR 100V ● IFAV 150mA ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Extreme fast switches Mechanical Data ● Case: SOD523 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ● Marking: T4 ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Repetitive Peak Reverse Voltage SYMBOL CONDITIONS UNIT VALUE VRRM V Reverse Voltage VR V IR=100uA 100 Peak Forward Surge Current IFSM A Pulse width=1 us Pulse width=1 s 2.5 1 Average Forward Current IFAV mA 150 Power Dissipation Ptot(1) mW 150 Thermal Resistance Junction to Ambient RthJA(1) °C/W 833 Tj ℃ -55 to +150 Tstg ℃ -55 to +150 Junction Temperature Storage Temperature Range 100 (1) Device mounted on an FR4 PCB (1.0 x 1.0 x 0.06 inch), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Breakdown Voltage Forward Voltage SYMBOL UNIT VR V VF V CONDITIONS IR=100uA MIN MAX 100 IF=5mA 0.715 IF=10mA 0.855 IF=100mA 1.00 IF=150mA 1.25 IR1 nA VR=20V 25 IR2 uA VR=75V 1 Capacitance C pF VR=0V, f=1MHz 4 Reverse Recovery Time Trr ns IF=IR=10mA, Irr=0.1*IR, RL=100Ω 4 Reverse Leakage Current 1/4 S-S1715 Rev.2.6,12-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N4148WTQ 

Microsoft Word - 1N4148WTQ

Дата модификации: 12.11.2022

Размер: 185.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.