WMS06N15T2
WMS06N15T2
150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
D
D
WMS06N15T2 uses advanced power trench technology that has
D
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
S
yet maintain superior switching performance.
S
Features
⚫
S
G
SOP-8L
VDS= 150V, ID = 5.8A
RDS(on) < 50mΩ @ VGS = 10V
⚫
High Speed Power Smooth Switching
⚫
Low Gate Charge
⚫
10...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOP8L
- Норма упаковки: 4000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOP8L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS06N15T2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 26.05.2022
Размер: 454 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.