WMO2N100D1

WAYON
WMO2N100D1 WMAA2N100D1 1000V 2A 6.3Ω N-ch Power MOSFET Description TO-251-L9.4 TO-252 WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TAB TAB G D S G Features  VDS=1050V@Tjmax  Typ.RDS(on)=6.3Ω@VGS=10V  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 2500  шт. (в ленте)

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMO05N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WMO2N100D1 WMAA2N100D1 1000V 2A 6.3Ω N-ch Power MOSFET Description TO-251-L9.4 TO-252 WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TAB TAB G D S G Features  VDS=1050V@Tjmax  Typ.RDS(on)=6.3Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free D,TAB G Applications  SMPS  Charger  DC-DC D S S Absolute Maximum Ratings（TC=25℃） Parameter Symbol WMO2N100D1 WMAA2N100D1 Unit Drain-source voltage VDSS 1000 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current ID 2 A Pulsed drain current IDM 8 A Avalanche energy, single pulse EAS 80 mJ Power dissipation PD 60 W 0.48 W/℃ Tj -55~150 ℃ Tstg -55~150 ℃ IS 2 A ISpulse 8 A Thermal resistance,junction-to-case RθJC 2.08 ℃/W Thermal resistance,junction-to-ambient RθJA 75 ℃/W Derate above 25°C Operating junction temperature Storage temperature Continuous diode forward current Diode pulse current Thermal Characteristic Rev.3.2 2022 www.way-on.com PDF
Документация на WMO2N100D1 

Дата модификации: 05.01.2023

Размер: 1.16 Мб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.