WMM25N50C4

WML25N50C4, WMO25N5 W 50C4, WM MK25N50C C4 WMN2 25N50C4, WMM25N50C4, WM MJ25N50C C4 500V 0.125Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa ayon’s 4th generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C4 is G D S G D S D G TO-22 20F suitable fo ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML25N50C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML36N60F2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 500 шт
 
A+ YJD2065100NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD2065100B7GH (YJ)
 
TO2637 в линейках 30 шт
 
A+ WML28N60C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMK36N60F2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK36N65F2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK36N60C4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK28N60C4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMJ36N60F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ36N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMJ28N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMJ28N50C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMM36N65C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM36N60C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM28N60C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML25N50C4, WMO25N5 W 50C4, WM MK25N50C C4 WMN2 25N50C4, WMM25N50C4, WM MJ25N50C C4 500V 0.125Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa ayon’s 4th generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C4 is G D S G D S D G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 S TO-220 T D D power density and outstanding efficiency. Features S S G G TO-26 63  VDS =5 550V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.12 25Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e G S D TO O-247 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK K/WMM/WMN/W WMJ/WMO WML Unit VDSSS 500 V ID 23 A 13 A IDM M 65 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 210 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.3 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 2.5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 135 31 W 1.08 0.25 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 23 A IS,puulse 65 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK K/WMM/WMN/W WMJ/WMO WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.9 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2019 Doc.W08 850005 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx25N50C4 

Microsoft Word - WMx25N50C4 W0850005 V2.0

Дата модификации: 08.04.2022

Размер: 677.8 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.