WMM220N20HG3
WMM220N20HG3
200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMM220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
D
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
G
is well suited for high efficiency fast s witching applications.
S
.
TO-263
Features
⚫
VDS= 200V, ID = 78A
RDS(on...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 800 шт. (в ленте)
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMM220N20HG3
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 30.12.2021
Размер: 499.9 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.