WMJ220N20HG3
WMJ220N20HG3
200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMJ220N20HG3 uses Wayon's 3rd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
G
.
S
TO-247
Features
D
VDS= 200V, ID = 82A
RDS(on)...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 30 шт.
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | NCE0260T (NCE) | TO-247-3 |
| ||
P- | CRSQ113N20N (CRMICRO) | TO-247-3 | в линейках 1000 шт |
| |
P- | NCEP02T10T (NCE) | TO-247-3 | 1 шт |
|
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMJ220N20HG3
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 09.03.2023
Размер: 601 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.