WMJ023N08HGS
WMJ023N08HGS
80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMJ023N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
G
Features
⚫
D
S
TO-247
VDS= 80V, ID = 280A
RDS(on) < 2.4mΩ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | NCE6080AT (NCE) | TO-247-3 | |||
P= | CRSP027N10NZ (CRMICRO) | TO-247-3 | 2000 шт | ||
P= | CRSQ027N10N (CRMICRO) | TO-247-3 | в линейках 25 шт | ||
P= | IRFP064N (EVVO) IRFP064N (INFIN) | TO-247-3 | в линейках 250 шт | ||
P- | NCE85H25T (NCE) | TO-247-3 | в линейках 600 шт | ||
P- | NCE60H15AT (NCE) | TO-247-3 | в линейках 600 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMJ023N08HGS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 21.11.2022
Размер: 452.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.