WMJ023N08HGS

WMJ023N08HGS 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMJ023N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G Features ⚫ D S TO-247 VDS= 80V, ID = 280A RDS(on) < 2.4mΩ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO-247-3
  • Норма упаковки: 30  шт. (в линейках)

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= NCE6080AT (NCE)
 
TO-247-3
 
P= CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт
P= CRSQ027N10N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 25 шт
 
P= IRFP064N (EVVO)
 

IRFP064N (INFIN)
TO-247-3 в линейках 250 шт
 
P- NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
P- NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.