WM06DN03DE

WAYON
WM06DN03DE Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features   Way-on Small Signal MOSFETs VDS= 60V, ID = 0.34A RDS(on) < 2Ω @ VGS = 10V RDS(on) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V   Trench LV MOSFET Technology ESD Protected SOT-363 Mechanical Characteristics    SOT-363 Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D2 D1 D1 G2 S2 S1 G1 D2 G2 G1 S1 S2 D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WM06DN03D (WAYON)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть
WM06DN03DE Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features   Way-on Small Signal MOSFETs VDS= 60V, ID = 0.34A RDS(on) < 2Ω @ VGS = 10V RDS(on) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V   Trench LV MOSFET Technology ESD Protected SOT-363 Mechanical Characteristics    SOT-363 Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D2 D1 D1 G2 S2 S1 G1 D2 G2 G1 S1 S2 Device symbol SOT-363(Top view) Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 0.34 A IDM 1.36 A PD 200 mW TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 625 °C/W Continuous Drain Current TA=25°C Pulsed Drain Current1 Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction to Ambient2 Rev.A,2023 Doc:W0803881 1/5 PDF
Документация на WM06DN03DE 

Features Keywords:

Дата модификации: 25.07.2023

Размер: 592.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.