WM02P14G
Document: W0803085, Rev: D
WM02P14G
1
P-Channel MOSFET
Features
VDS= -20V, ID = -1.4A
RDS(on) < 100mΩ @ VGS = -4.5V
RDS(on) < 140mΩ @ VGS = -2.5V
Trench MOSFET
Low Gate Charge
Pb Free Device
Mechanical Characteristics
SOT-323 Package
Marking : Making Code
RoHS Compliant
Schematic & PIN Configuration
D
G
D
G
S
S
Device symbol
SOT-323(Top View)
Absolute Maximum R...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
- Норма упаковки: 3000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
F~ | CJ2101 (JSCJ) | SOT-323-3 | 70 шт |
| — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.