WM02P14G

Document: W0803085, Rev: D WM02P14G 1 P-Channel MOSFET Features     VDS= -20V, ID = -1.4A RDS(on) < 100mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 140mΩ @ VGS = -2.5V Trench MOSFET Low Gate Charge Pb Free Device Mechanical Characteristics    SOT-323 Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S Device symbol SOT-323(Top View) Absolute Maximum R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
F~ CJ2101 (JSCJ)
 
SOT-323-3 70 шт

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.