IRLML2030TRPBF-VB

VBsemi Electronics Co.
IRLML2030TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML2030TRPBF-VB Datasheet N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.030 at VGS = 10 V 6.5 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 VDS (V) 30 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 4.5 nC APPLICATIONS • DC/DC Converter D T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA IRLML2030TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML2030TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ YJJ09N03A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт —
A+ CJK3400A (JSCJ)
 
SOT233L
 
 ± — — — — —
A+ IRLML6344TRPBF (KLS)
 

IRLML6344TRPBF (INFIN) 		— 1 шт
 
 — —
A+ WMR10N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — — —
A+ YJQ3400A (YJ)
 
DFN2020-6L
 
 — —
A+ YJL3404AQ (YJ)
 
—
 
 — —
A+ IRLML2803TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2803TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ JMTP130N04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ YJL05N04C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRLML0030 (KLS)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS10DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WM03N105A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
 — —
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL3400C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ AD-CJ3400 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRLML2030TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML2030TRPBF-VB Datasheet N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.030 at VGS = 10 V 6.5 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 VDS (V) 30 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 4.5 nC APPLICATIONS • DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1 3 S G D 2 S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed Drain Current TC = 25 °C TA = 25 °C TC = 25 °C TC = 70 °C Maximum Power Dissipation TA = 25 °C TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e Continuous Source-Drain Diode Current Limit 30 ± 20 6.5a 6.0 5.3 5.0 25 1.4 ID IDM IS Unit V A 0.9b, c 1.7 1.1 PD W 1.1b, c 0.7b, c - 55 to 150 260 TJ, Tstg °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter t≤5s Maximum Junction-to-Ambientb, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State Notes: a. Package limited b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 5 s. d. Maximum under steady state conditions is 130 °C/W. Symbol RthJA RthJF Typical 90 60 Maximum 115 75 Unit °C/W 1 PDF
Документация на IRLML2030TRPBF-VB 

Дата модификации: 13.03.2024

Размер: 188 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)