IRF7304TRPBF-VB

VBsemi Electronics Co.
IRF7304TRPBF-VB www.VBsemi.com IRF7304TRPBF-VB Datasheet Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 ID (A)d, e RDS(on) (Ω) 0.035 at VGS = - 10 V - 7.3 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.3 • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested Qg (Typ.) 17 nC RoHS COMPLIANT APPLICATIONS • Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA IRF7304TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7304TRPBF (INFIN) 		— в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRF7304TR (YOUTAI)
 

IRF7304TR (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE4953 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF7304TRPBF-VB www.VBsemi.com IRF7304TRPBF-VB Datasheet Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 ID (A)d, e RDS(on) (Ω) 0.035 at VGS = - 10 V - 7.3 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.3 • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested Qg (Typ.) 17 nC RoHS COMPLIANT APPLICATIONS • Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 G1 Top View G2 D1 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Symbol VDS VGS Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C V - 7.0e - 7.3a, b - 5.9a, b - 32e - 4.1 ID TC = 25 °C TA = 25 °C IS Avalanche Current Single-Pulse Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD - 2.0a, b - 20 20 5.0 3.2 2.5a, b 1.6a, b - 55 to 150 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit - 7.3e IDM Pulsed Drain Current Continuous Source-Drain Diode Current Limit - 30 ± 20 A mJ W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta, c Maximum Junction-to-Foot t ≤ 10 s Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 38 20 Maximum 50 25 Unit °C/W Notes: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. b. t = 10 s. c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W. d. Based on TC = 25 °C. e. Limited by package. 1 PDF
Документация на IRF7304TRPBF-VB 

Дата модификации: 13.03.2024

Размер: 229.6 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)