TSSE3U60HRVG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 3 А, с падением напряжения 490 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- TSSE3U60RVG (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
TSSE3U45 - TSSE3U60 Taiwan Semiconductor 3A, 45V - 60V Trench Schottky Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Patented Trench Schottky technology Excellent high temperature stability Low forward voltage Lower power loss/ high efficiency High forward surge capability Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 3 A VRRM 45 - 60 V IFSM 80 A TJ MAX 150 °C Package SOD-123HE Configuration Single die APPLICATIONS ● Trench Schottky barrier rectifier is designed for high frequency miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting and on-board DC/DC converters MECHANICAL DATA ● Case: SOD-123HE ● Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating ● Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified ● Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) ● ● ● ● ● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.022g (approximately) SOD-123HE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM TSSE3U45 TSSE3U60 E3U45 E3U60 UNIT V 45 60 V DC Blocking Voltage VRM V Maximum RMS voltage VRMS Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature IF(AV) 3 A IFSM 80 A TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C 32 1 42 Version:H1907 V PDF
Документация на TSSE3U45HRVG 

Дата модификации: 28.06.2019

Размер: 342.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)