TESDU12VRGG

Taiwan Semiconductor
TESDU5V0/TESDU12V/TESDU24V Taiwan Semiconductor Small Signal Product Bi-directional ESD Protection Diode FEATURES - Meet IEC61000-4-2 (ESD) ±15kV (air), ±8kV (contact) - Designed for mounting on small surface - Protects one Bi-directional I/O line - Moisture sensitivity level 1 - Working Voltage : 5V, 12V, 24V - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC 0603 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус X1-DFN1006-2
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 25W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TESDU5V0/TESDU12V/TESDU24V Taiwan Semiconductor Small Signal Product Bi-directional ESD Protection Diode FEATURES - Meet IEC61000-4-2 (ESD) ±15kV (air), ±8kV (contact) - Designed for mounting on small surface - Protects one Bi-directional I/O line - Moisture sensitivity level 1 - Working Voltage : 5V, 12V, 24V - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC 0603 - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 MECHANICAL DATA - Case: 0603 small outline plastic package - Terminal : Gold plated, solder per MIL-STD-705, method 2026 guaranteed - High temperature soldering guaranteed : 260°C/10s - Weight: 3 ± 0.5 mg APPLICATIONS - Cell Phone Handsets and Accessories - Notebooks, Desktops, and Servers - Keypads, Side Keys, USB 2.0, LCD Displays - Portable Instrumentation - Touch Panel MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER VALUE SYMBOL TESDU5V0 Peak Pulse Power (tp=8/20μs waveform) TESDU12V PPP 25 TESDU24V ESD per IEC 61000-4-2 (Air) Junction and Storage Temperature Range SYMBOL TESDU5V0 Reverse Stand-Off Voltage VRWM TESDU12V TESDU24V TESDU5V0 Reverse Breakdown Voltage TESDU12V IR = 1 mA V(BR) TESDU24V Reverse Leakage Current TESDU5V0 VR = 5 V TESDU12V VR = 12 V TESDU24V VR = 24 V Clamping Voltage TESDU5V0 Clamping Voltage TESDU12V Clamping Voltage TESDU24V TESDU5V0 Junction Capacitance ± 15 TESDU12V TESDU24V IPP = 1 A IPP = 5 A IPP = 1 A IPP = 5 A IPP = 1 A IPP = 5 A IR VC VC VC KV ±8 -55 to +150 TJ, TSTG PARAMETER W 47 VESD ESD per IEC 61000-4-2 (Contact) UNIT 75 °C MIN MAX - 5 - 12 - 24 5.1 - 13 - 25 - - 2 - 9.8 - 15 - 25 - 33 - 47 - 51 UNIT V V μA V V V 15 VR = 0 V f = 1.0 MHz CJ 12 pF 10 Version: H1601 PDF
Документация на TESDU12VRGG 

Дата модификации: 20.01.2016

Размер: 259.2 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)