SS36R7

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 3 А, с падением напряжения 750 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SSL56B (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
P= SK36 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS36R6 (TSC)
 
в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SM560C (LRC)
 
DO-214AB SMC в ленте 3000 шт
 
P= SS56-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SL26-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SL36-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS36-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SM360C (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
P= SS36 (TSC)
 

SS36 (ONS-FAIR)
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS26BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS36B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon
P= SS56 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS56B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon
P= SM360B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS36CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SS56 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 100 шт
P= SK26 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SK36 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
P= SK36 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS56 (JSCJ)
 
 
P= SS56L SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS56CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM260B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SM560B (LRC)
 
DO-214AA SMB в ленте 4000 шт
 
P= SM560BF (LRC)
 
 
P= SS56BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P- SS36 (YJ)
 

SS36 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
SS32 thru SS320 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Schottky Barrier Rectifier - Low power loss, high efficiency - Ideal for automated placement - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.21 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) SYMBOL PARAMETER SS SS SS SS SS SS SS SS SS 32 33 34 35 36 39 310 315 320 Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 50 60 90 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 35 42 63 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 90 100 150 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 100 VF 0.5 0.4 Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) IF= 3 A @ 25℃ IF= 3 A @ 100℃ Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100℃ TJ=125 ℃ 3 0.75 0.65 0.85 0.70 0.5 IR 10 5 - - - 0.5 10000 Typical thermal resistance RθJL RθJA 17 55 Storage temperature range TSTG - 55 to +125 V 0.95 0.80 0.1 dV/dt TJ A 70 Voltage rate of change (Rated VR) Operating junction temperature range A mA V/μs O - 55 to +150 - 55 to +150 C/W O C O C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: D1307006 Version: J13 PDF
Документация на SS310R6 

SS32 SERIES_J13.xls

Дата модификации: 26.03.2014

Размер: 206.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.