SS16HF3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 1 А, с падением напряжения 750 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS16HM2G (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
SS12 - SS115 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1A, 20V - 150V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES - Low power loss, high efficiency - Ideal for automated placement - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition DO-214AC (SMA) MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.066 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL SS SS SS SS SS SS SS SS 12 13 14 15 16 19 110 115 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 35 42 63 70 105 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 40 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 1 A, TJ=25°C @ 1 A, TJ=100°C VF 0.5 0.4 TJ=25°C Maximum reverse current @ rated VR TJ=100°C 0.75 0.65 0.8 0.7 TJ=125°C V 0.1 0.2 IR 0.95 0.85 6 5 - - - 2 mA Voltage rate of change (Rated VR) dV/dt 10000 V/μs Typical thermal resistance RθJL RθJA 28 88 °C/W Operating junction temperature range Storage temperature range TJ TSTG - 55 to +125 - 55 to +150 - 55 to +150 °C °C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1411020 Version: P15 PDF
Документация на SS110HR3G 

SS12 SERIES_P15.xls

Дата модификации: 18.05.2015

Размер: 191.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)