SR510

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 5 А, с падением напряжения 800 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SR5100 (YJ)
 
DO201AD в ленте 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR10100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —
A- SR5100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
SR502 – SR520 Taiwan Semiconductor 5A, 20V - 200V Schottky Barrier Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Low forward voltage drop Low power loss, high efficiency Guard ring for overvoltage protection High surge current capability RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 5 A VRRM 20 - 200 V IFSM 120 A TJ MAX 125, 150 °C APPLICATIONS Package DO-201AD Configuration Single die ● Switching mode power supply (SMPS) ● Adapters ● DC to DC converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-201AD Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 1.10g (approximately) DO-201AD ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Critical rate of rise of offstate voltage Junction temperature Storage temperature SR 502 SR 502 SR 503 SR 503 SR 504 SR 504 SR 505 SR 505 SR 506 SR 506 SR 509 SR 509 SR 510 SR 510 SR 515 SR 515 SR 520 SR 520 VRRM 20 30 40 50 60 90 100 150 200 V VR(RMS) 14 21 28 35 42 63 70 105 140 V SYMBOL UNIT IF 5 A IFSM 120 A dv/dt 10,000 V/µs TJ -55 to +125 -55 to +150 TSTG -55 to +150 1 °C °C Version: J2105 PDF
Документация на SR502 

Дата модификации: 12.05.2021

Размер: 399.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD01060E (CREE PWR)