SMF5.0AHRVG

Taiwan Semiconductor
SMF5.0A - SMF100A Taiwan Semiconductor 200W, 5V - 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Photo Glass passivated junction Low power loss, high efficiency Ideal for automated placement Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V 200 watts peak pulse power capability with a 10 / 1000 μs waveform (VWM ≧ 60V, PPPM = 175W) ● Compli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-123W
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- SMAJ5.0A (YAG)
 

SMAJ5.0A/TR7 (YAG)
10000 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMF5.0A (JSCJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
A- SJD12A05L01 (YAG)
 
SOD123S 15000 шт TVS ESD, SOD-123S, 5V, 9.2V, Reel
A- SMAJ5.0A/TR13 (YAG)
 
в коробках 15000 шт SMAJ, DO-214AC, 5V, 9.2V, Reel 13"
A- SMAJ5.0A/TR7 (YAG)
 
в ленте 10000 шт SMAJ, DO-214AC, 5V, 9.2V, Reel 7"
A- BV-SMAJ5A (BENCENT)
 
DO214AC
A- SMCJ5.0A (DC)
 
DO214AB в ленте 500 шт
 
A- BV-SMCJ5A (BENCENT)
 
DO214AB
A- CESDLC5V0M5 (JSCJ)
 
SOT-563
 
A- SMF5.0A (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
A- SA5.0A (TSC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- SMBJ5.0A (TSC)
 

SMBJ5.0A/TR13 (YAG)
SMBJ5.0A (ONS-FAIR)
DO214AA Защитный диод - Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMBJ5V0A (TSC)
 

SMBJ5V0A (ONS-FAIR)
DO214AA 250 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
SMF5.0A - SMF100A Taiwan Semiconductor 200W, 5V - 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Photo Glass passivated junction Low power loss, high efficiency Ideal for automated placement Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V 200 watts peak pulse power capability with a 10 / 1000 μs waveform (VWM ≧ 60V, PPPM = 175W) ● Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM VBR (uni-directional) PPPM 5 - 100 V 6.8 - 117 V 200 W TJ MAX 175 °C Package SOD-123W Configuration Single die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application On-board DC/DC converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● Case: SOD-123W Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Uni-directional Weight: 16 mg (approximately) SOD-123W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000us waveform (2) Steady state power dissipation at TL=25°C Forward Voltage @ IF=12A for Uni-directional only (3) Junction temperature SYMBOL VALUE UNIT PPPM 200 W Ptot 1 W VF 3.5 V TJ -55 to +175 °C -55 to +175 °C Storage temperature TSTG Notes: 1. Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and derated above TA=25°C Per Fig. 2 2. Units mounted on PCB (5mm x 5mm Cu pad test board) 3. Pulse test with PW=0.3 ms 1 Version: C1810 PDF
Документация на SMF10AHRVG 

Subject:

Дата модификации: 21.11.2018

Размер: 233.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.