SMCJ12A

Taiwan Semiconductor
SMCJ5.0(A) – SMCJ170(A) Taiwan Semiconductor 1500W, 5V - 170V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 V to BV min Typical IR less than 1μA above 10V Moisture sensitiv...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= SMCJ12AV7G (TSC)
 
— — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SJD12A12L01 (YAG)
 
SOD123S 15000 шт — — TVS ESD, SOD-123S, 12V, 19.9V, Reel
A- SMAJ12A (YJ)
 

SMAJ12A/TR7 (YAG) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMBJ12A (YJ)
 

SMBJ12A (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Unidirectional
A- SMBJ12A-TR (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 —
A- SMCJ12A (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMAJ12A/TR13 (YAG)
 
— в ленте 3020 шт — SMAJ, DO-214AC, 12V, 19.9V, Reel 13"
A- SMAJ12A (DC)
 

SMAJ12A/TR7 (YAG) 		DO214AC в ленте 7500 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс: 3.3 Вт; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 12 В; Uогр(ном): 1... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMBJ12A (DC)
 

SMBJ12A (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 12 В; Uогр(ном): 14 ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMBJ12A (YOUTAI)
 

SMBJ12A (ONS-FAIR) 		DO-214AA SMB в ленте 750 шт — — —
A- ESD12VLA (YJ)
 
DFN1006D2
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 650W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
A- SMF12AQ (YJ)
 
SOD123FL
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMAJ12A/TR7 (YAG)
 
DO214AC 10000 шт — SMAJ, DO-214AC, 12V, 19.9V, Reel 7"
A- BV-SMBJ12A (BENCENT)
 
DO214AA — — —
A- SMCJ12A (DC)
 
DO-214AB SMC 1 шт
 
 — —
A- BV-SMAJ12A (BENCENT)
 
DO214AC — — —
A- PGSMAJ12AR3G (TSC)
 
— — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMB10J12AHR5G (TSC)
 
— —
A- SMA6J12AHR3G (TSC)
 
— —
A- SMBJ12CAR5G (TSC)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMAJ12A (TSC)
 

SMAJ12A/TR7 (YAG) 		DO214AC 1 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс: 3.3 Вт; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 12 В; Uогр(ном): 1... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMBJ12A (KLS)
 

SMBJ12A (ONS-FAIR) 		DO-214AA — —
A- SMAJ12AHR3G (TSC)
 
— —

Файлы 1

показать свернуть
SMCJ5.0(A) – SMCJ170(A) Taiwan Semiconductor 1500W, 5V - 170V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 V to BV min Typical IR less than 1μA above 10V Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM 5 - 170 V VBR 6.4 - 231 V PPK 1500 W TJ MAX 150 °C Package DO-214AB (SMC) Configuration Single die APPLICATIONS ● ● ● ● Protect sensitive circuit from damage by high voltage transients Lighting, ESD transient voltage protection of IC, system Inductive switching load protection of IC, system Electrical Fast Transient Immunity protection of IC, system MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.210g (approximately) DO-214AB (SMC) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT PPK 1500 W PD 5 W IFSM 200 A VF 3.5 / 5.0 V Junction temperature TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C Peak power dissipation at TA = 25°C, tp = 1ms (1) Steady state power dissipation at T A = 25°C Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (2) Forward Voltage @ IF = 100A for Unidirectional only Notes: 1. Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above TA = 25°C per Fig.2 2. VF = 3.5V on SMCJ5.0 - SMCJ90 devices and VF = 5.0V on SMCJ100 - SMCJ170 devices Devices for bipolar applications 1. For bidirectional use C or CA suffix for types SMCJ5.0 - types SMCJ170 2. Electrical characteristics apply in both directions 1 Version: S2104 PDF
Документация на SMCJ100A 

Дата модификации: 09.04.2021

Размер: 526 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)