SK56BR4

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 5 А, с падением напряжения 750 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SK52B thru SK515B Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Schottky Barrier Rectifier - Low power loss, high efficiency - Ideal for automated placement - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AA (SMB) DO-214AA (SMB) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.1 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL SK SK SK SK SK SK 52B 53B 54B 55B 56B 59B SK SK 510B 515B Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 35 42 63 70 105 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 5 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 120 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @5A Maximum reverse current @ rated VR VF 0.5 0.5 TJ=25 oC o TJ=100 C 0.75 IR o TJ=125 C 0.85 0.95 V 0.1 20 10 - - - 2 mA Voltage rate of change (Rated VR) dV/dt 10000 Typical thermal resistance RθJL RθJA 19 60 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C Operating junction temperature range Storage temperature range V/μs O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1406034 Version: K14 PDF
Документация на SK510BM4G 

SK52B SERIES_K14.xls

Дата модификации: 30.06.2014

Размер: 210.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)