S3JR7G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- S3J (TSC)
 
DO214AB — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P- GS3J (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
S3A thru S3M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Schottky Barrier Rectifier - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - High current capability - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.21 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL S3A S3B S3D S3G S3J S3K S3M Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 100 A VF 1.15 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) IF= 3 A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR Unit 10 μA 250 Typical reverse recovery time (Note 2) Trr 1.5 μs Typical junction capacitance (Note 3) Cj 60 pF RθJL RθJA 13 47 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405068 Version: I14 PDF
Документация на S3BR6 

S3A SERIES_I14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 372.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)