S3JBHR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= S3JBR5 (TSC)
 
— — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= S3JBR5G (TSC)
 
— — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
S3AB - S3MB Taiwan Semiconductor 3A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low forward voltage drop High surge current capability Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 3 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 80 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single Die Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Part no. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.09 g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Maximum DC blocking voltage Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature Storage temperature SYMBOL VRRM VR(RMS) VDC IF(AV) S3AB S3BB S3DB S3GB S3JB S3KB S3MB UNIT S3AB S3BB S3DB S3GB S3JB S3KB S3MB 50 100 200 400 600 800 1000 V 35 70 140 280 420 560 700 V 50 100 200 400 600 800 1000 V 3 A IFSM 80 A TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:L1705 PDF
Документация на S3ABHR5G 

Дата модификации: 23.05.2017

Размер: 397.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)