S3GBR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
S3AB thru S3MB Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AA (SMB) DO-214AA (SMB) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.09 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL S3 S3 S3 S3 S3 S3 S3 AB BB DB GB JB KB MB Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 80 A VF 1.15 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @3A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR 10 μA 250 Typical reverse recovery time (Note 2) Trr 1.5 μs Typical junction capacitance (Note 3) Cj 40 pF RθjL 10 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405060 Version: H14 PDF
Документация на S3ABR5G 

S3AB SERIES_H14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 376.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)