S3AB

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 50 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC DO-214AC (SMA)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- TSSA5U50 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ER3A (DC)
 
— — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SK35BR4 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- SK35BR5 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- SK36AR2 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- HS3AR7 (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- HS3AR7G (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- TSSA3U60 (TSC)
 
DO-214AC DO-214AC (SMA) — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- S3A (TSC)
 

S3A (ONS-FAIR) 		— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- TSSA5U60 (TSC)
 
DO-214AC DO-214AC (SMA) — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- S3ABR5G (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- SS35R7 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS35R7G (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS36 (TSC)
 

SS36 (ONS-FAIR) 		— — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
S3AB – S3MB Taiwan Semiconductor 3A, 50V - 1000V Standard Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low forward voltage drop High surge current capability Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF 3 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 80 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.090g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Repetitive peak reverse voltage VRRM S3 AB S3 AB 50 Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 PARAMETER SYMBOL Marking code on the device S3 BB S3 BB 100 S3 DB S3 DB 200 S3 GB S3 GB 400 S3 JB S3 JB 600 S3 KB S3 KB 800 S3 MB S3 MB 1000 70 140 280 420 560 700 UNIT V V Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Junction temperature IF 3 A IFSM 80 A TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version: M2102 PDF
Документация на S3AB 

Дата модификации: 08.03.2021

Размер: 551.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)