S1MFR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
S1JF - S1MF Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1A, 600V - 1000V Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - Low leakage current - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 MECHANICAL DATA SMAF Case: SMAF MSL1: per J-STD-020 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 35mg (approximately) en de d Molding compound: UL flammability classification rating 94V-0 PARAMETER mm MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) S1JF S1KF S1MF UNIT VRRM 600 800 1000 V VRMS 420 560 700 V VDC 600 800 1000 V SYMBOL Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage IF(AV) 1 A IFSM 30 A VF 1.1 V eco Maximum average forward rectified current Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load tR Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25°C TJ=125°C IR 5 50 μA trr 1.8 μs Typical junction capacitance (Note 3) CJ 6 pF RθJL RθJA 25 70 °C/W TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C No Typical reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC. Document Number: DS_D1511004 Version: A15 PDF
Документация на S1MFR3G 

S1JF SERIES_A15.xls

Дата модификации: 02.10.2018

Размер: 218.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.