S1KALHM3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S1MLR3 (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- S1MLR3G (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- S1MLW (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
S1DALH – S1MALH Taiwan Semiconductor 1A, 200V-1000V Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified Glass passivated junction chip Ideal for automated placement Low profile package Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 200-1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package Thin SMA Configuration Single Die Freewheeling Snubber DC/DC converters Automotive application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: Thin SMA Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.029g (approximately) Thin SMA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL S1DALH S1GALH S1JALH S1KALH S1MALH UNIT Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Forward current Surge peak forward current, single half sine-wave superimposed on rated load S1DAH S1GAH S1JAH S1KAH S1MAH VRRM 200 400 600 800 1000 V VR(RMS) 140 280 420 560 700 V IF t = 8.3ms 1 A 30 A 100 A IFSM t = 1.0ms Junction temperature TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C 1 Version: A2006 PDF
Документация на S1DALHM3G 

Дата модификации: 04.06.2020

Размер: 432.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)