S1DLR2

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- TSDGLWH (TSC)
 
DO-220AA (SMP)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
A- S1GALHM3G (TSC)
 
DO-220AA (SMP)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
A- S1GL (TSC)
 
DO-220AA (SMP)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
A- S1GLW (TSC)
 
DO-220AA (SMP)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
A- S1GM (TSC)
 
DO-220AA (SMP)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
S1AL thru S1ML Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Rectifier - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Low-Profile Package - Low power loss, high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: Sub SMA Sub SMA Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code S1AL S1BL S1DL S1GL S1JL S1KL S1ML 1AL 1BL 1DL 1GL 1JL 1KL 1ML UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A VF 1.1 V Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR Typical junction capacitance (Note 2) Cj 9 pF Typical reverse recovery time (Note 3) Trr 1.8 μs Typical thermal resistance RθJL RθJA Operating junction temperature range Storage temperature range TJ TSTG 5 μA 50 25 85 30 85 O C/W - 55 to +175 O C - 55 to +175 O C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts. Note 3: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1405032 Version: M14 PDF
Документация на S1ALRVG 

S1AL SERIES_M14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 195.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.